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電漿清洗 |
 | 基本費用:5,000元
|  | 4" Wafer 8 pcs/次:1,000元
|  | 6" Wafer 8 pcs/次:1,000元
|  | 特殊規格另議 |
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 | Plasma Processor 300-E O2 Plasma 10~200W |
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薄膜厚度量測 |
 | 基本費用:3,000元
|  | 第二小時起,每小時加收1,000元
|  | 報告每份2,000元 |
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 | 量測儀器:DEKTAK 3030ST
|  | Max size 300mm × 300mm適用
|  | Max. Sample Thickness:45mm
|  | Scan Length:50μm~100mm
|  | Horizontal Resolution:0.25μm (Low Speed/500μm Scan Length) |
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薄膜基板金屬化 |
 | 鋁膜(8”):45,000元
|  | 金膜(8”):67,000元
|  | 其他金屬(8”):48,000元 |
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 | 基板以矽晶片、玻璃板、陶瓷基板為主,厚度約為25mil
|  | 鍍膜厚度 金膜厚度:< 0.3μm Al或Al/Si及其他金屬:< 1.0μm 光阻塗佈厚度:4μm
|  | 鍍膜費用以現有靶材計價,特殊 需求與數量多者另計 |
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黃光微影製程 |
 | 光阻塗佈(8”):22,500元
|  | 曝光顯影、光阻剝除(8”):42,500元
|  | 蝕刻(8”):26,000元
|  | PI塗佈:26,300元 |
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 | 基板以矽晶片、玻璃板、陶瓷基板為主,厚度約為25mil
|  | 鍍膜厚度 金膜厚度:< 0.3μm Al或Al/Si及其他金屬:< 1.0μm 光阻塗佈厚度:4μm |
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無電鍍鎳金UBM |
 | 基本費用(批): 30,000元/標準製程 32,000元/薄晶圓 36,000元/背面鍍銀
|  | 製作費(片)4”: 8,000元/標準製程 9,500元/薄晶圓 11,000元/背面鍍銀
|  | 製作費(片)6”: 9,500元/標準製程 11,000元/薄晶圓 12,500元/背面鍍銀
|  | 製作費(片)8”: 11,000元/標準製程 12,500元/薄晶圓 14,000元/背面鍍銀 (每批以4片計) |
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 | 製程包含:
|  | 標準Plasma Cleaning
|  | 標準IZM無電鍍鎳金製程(僅限Al Wafer)
|  | 標準製程規格 Ni: 5±0.5μm, Au:<0.1μm 4~8 Inch Si Wafer with Al Pad (Standard Si Wafer Thickness)
|  | 薄晶圓規格 6Inch, Si Thickness不小於300μm |
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鋼版網印錫球凸塊 |
 | 基本費用:18,000元/批
|  | 製作費:7,000元/片 |
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 | 標準製程:4~12 Inch Si Wafer, Eutectic Solder (Wafer Thickness: 25mil) |
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銅電鍍UBM |
 | 基本費用:15,000元/批
|  | 製作費:3,000元/片 |
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 | 標準製程:6 or 8 Inch Si Wafer(Cu Thickness < 20μm) |
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63/37錫鉛電鍍凸塊 |
 | 基本費用:15,000元/批
|  | 製作費:5,000元/片 |
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@標準製程:4 ~8 inch Si Wafer (Thickness: 25mil) |
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覆晶組裝代工 |
@製作費(以100顆計): 不含點膠:100,000元 含點膠:120,000元 |
 | 以每100顆計(含)為單位計算費用 |
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基板切割 |
 | 基本費用(含第一小時費用):3000元
|  | 第二小時起,每小時加收2,000元 |
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 | 無 |
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構裝設計 |
 | 視委託項目收費 |
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 | 提供研發產品之整合性造型設計、機構設計、組裝及協助系統機電整合驗證測試工作
|  | 提供熱傳分析測試技術,配合機構設計達成系統散熱結構要求
|  | 協助量產工具、夾治具、模具製作、試模、產品包裝設計製作工作 |
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BGA (PBGA) SMT |
 | BGA Set-up Charge:6,000元/次
|  | BGA(PBTA)on Board:1,000元/顆 (急件或指定日期:2,000元/次)
|  | SMT:1元/點 |
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無 |
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雷射鑽孔與表面處理 |
 | 8000NTD/ Hr |
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 | 通孔鑽孔
|  | 盲孔鑽孔
|  | 試片表面處理(Laser annealing)
|  | Solder mask opening
|  | Tin Mask Patterning |
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